英特尔18A工艺实测数据公布，逻辑栅极间距76nm

【英特尔 18A 制程实测：M0 间距 36nm、GAA 间距 76nm，与宣传存在差距】报告揭示了Panther Lake CPU的18A工艺细节，逻辑最小栅极间距76nm，SRAM未采用背面供电。分析指出，工艺整合能力是英特尔与台积电竞争的关键。半导体竞赛远不止光刻机，蚀刻、沉积等工艺整合才是真正的门槛。 #芯片制造# #英……